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 授業科目
 Course Title
半導体デバイス特論
Advanced Semiconductor Devices
 担当者
 Instructor
教授   水野 智久  前学期 木曜日4時限
 単 位
 Credit
2

到達目標 Target to be Reached
この講義を受けることにより,1)半導体物理,2)MOSFET動作,3)ロジックLSI及びメモリーの基本概念が習得できる。更に,現在の最先端のナノ領域半導体素子研究の一端の学習もできる。
 
授業内容 Course Content
 現在のIT社会の根幹をなす大規模集積回路(ULSI)は、電化製品、PCから自動車、ロケットまで、ありとあらゆる製品の主要部品である。ULSIは半導体基板上に作製され、現代の最先端技術の典型的な産物である。本特論では、ULSI動作の基礎をなす半導体物理、半導体デバイスの動作原理、現在における物理的問題点/限界について講義する。更に、物理限界を凌駕すべき研究の一端としてのナノ領域の半導体物理研究と新しい素子構造を紹介する。
 
 
授業計画 Course Planning
1.ULSI入門
2.半導体の基礎(1):バンド構造など
3.半導体の基礎(2):pn接合など
4.MOSFETの動作原理(1):ON/OFF動作
5.MOSFETの動作原理(2):短チャネル効果
6.CMOS回路(1):インバータ動作
7.半導体メモリー
8.ULSIの製法(1):加工技術
9.ULSIの製法(2):製膜技術
10.ULSIの製法(3):後工程
11.MOSFETの微細化とその物理限界(1):スケーリング則の限界
12.MOSFETの微細化とその物理限界(2):特性ゆらぎ
13.新構造MOSFETと将来展望:歪技術/ナノ技術
14. ナノ構造半導体
15. まとめ


 
授業運営 Course Management
講義形式にて行う.本講義の予習/復習には,水野研ホームページwww.info.kanagawa-u.ac.jp/~mizuno/index.html上にある講義ノートを活用してほしい。
 
評価方法 Evaluation Method
試験によって評価する。
 
オフィスアワー Office Hour (s)
メールにて対応する。
 

参考書 Book (s) for Reference
菊池正典『半導体のすべて』[日本実業出版社]1998年
御子柴宣夫『半導体の物理』改訂版[培風館]1991年
S.M. ジィー『半導体デバイス』第二版[産業図書]2004年

 
 
 
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